KIOXIA hat mit der Auslieferung von Warenmustern seiner neuesten Generation von Embedded-Flashspeichern in den Größen 256 und 512 Gigabyte begonnen. Die UFS-3.1-Flashspeicher sind in 0,8 und 1,0 mm hohen Gehäusen verbaut und damit dünner als ihre Vorgänger (Vergleich zu KIOXIAs vorheriger UFS-Generation mit 256 GB). Zudem steigt die Leistung um 30 Prozent beim zufälligen Lesen und um 40 Prozent beim zufälligen Schreiben: Im Vergleich zur vorherigen Generation der 256/512 GB UFS von KIOXIA. Die neuen UFS-Speicher von KIOXIA setzen auf den aktuellsten und leistungsfähigsten BiCS FLASH 3D-Flashspeicher der fünften Generation und sind für eine Vielzahl mobiler Anwendungen geeignet.
[zitat=Axel Störmann, Vice President Memory Marketing & Engineering der KIOXIA Europe GmbH]Mit der neuen UFS-Version 3.1 haben wir unsere Führungsrolle bei der JEDEC-Standardisierung weiter ausgebaut und einen weiteren Durchbruch bei der Leistung und den Formfaktoren im Bereich der nichtflüchtigen Speicher erzielt. Durch die konsequente Überprüfung und Weiterentwicklung der 3D-Flashspeichertechnologie BiCS FLASH von KIOXIA entsteht nicht nur ein neues Produktsortiment mit wettbewerbsfähigen zufälligen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten in dünnsten Gehäuseformaten. Die neuen Bausteine sind auch eine bevorzugte Lösung für einen weit gefächerten Bereich anspruchsvoller Industrieanwendungen.[/p]
KIOXIA verschiebt die Leistungsgrenzen von Embedded-Flashspeichern (Bildquelle: KIOXIA)
Die neuen UFS-3.1-Flashspeicher mit 256 und 512 Gigabyte bieten folgende Neuerungen:
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