NEWS / SK hynix zeigt erste Muster von TLC-NAND mit 321 Layern

SK hynix präsentierte das Muster seines neuen 321-Layer 4D-NAND und machte damit die Fortschritte bei der Entwicklung des branchenweit ersten NAND mit mehr als 300 Schichten öffentlich. Das Unternehmen hielt eine Präsentation über die Fortschritte bei der Entwicklung seines 321-schichtigen 1 TB TLC 4D-NAND-Flash und zeigte die Muster auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2023, das vom 8. bis 10. August in Santa Clara stattfand. Das Unternehmen plant, den Fertigstellungsgrad des 321-schichtigen Produkts zu erhöhen und ab der ersten Hälfte des Jahres 2025 mit der Massenproduktion zu beginnen.

SK hynix will ab 2025 den neuen 4D-NAND in Masse produzieren. (Bildquelle: SK hynix)

Das 321-Layer-1-Tb-TLC-NAND bietet eine Produktivitätssteigerung von 59 % im Vergleich zur früheren Generation des 238-Layer-512-Gb-NAND, dank der Technologieentwicklung, die das Stapeln von mehr Zellen und eine größere Speicherkapazität auf einem einzigen Chip ermöglichte, also insgesamt Kapazität, die auf einem einzigen Wafer hergestellt werden kann, erhöht. Spätestens seit der Einführung von ChatGPT, das das Wachstum des generativen KI-Marktes beschleunigte, wächst die Nachfrage nach leistungs- und kapazitätsstarken Speicherprodukten, die mehr Daten schneller verarbeiten können. Dementsprechend stellte SK hynix auf der FMS auch NAND-Lösungen der nächsten Generation vor, die für solche KI-Anforderungen optimiert sind, darunter die Enterprise-SSD mit PCIe-Gen5-Schnittstelle und UFS 4.0.

SK hynix gab außerdem bekannt, dass es mit der Entwicklung der nächsten Generation von PCIe Gen6 und UFS 5.0 mit der verbesserten Technologie für die Lösungsentwicklung begonnen hat, die es durch diese Produkte erworben hat, und brachte sein Engagement zum Ausdruck, den Branchentrend anzuführen.